Az Intel 0,09 mikronos technológiával elkészítette a világ legkisebb SRAM memóriacelláját

Az Intel kutatói elkészítették a világ legkisebb SRAM (statikus RAM) memóriacelláját, amely mindössze egy négyzetmikrométer méretű.

A memóriacellákat az Intel következő generációs, 2003-ban bevezetendő 90 nanométeres (0,09 mikronos) félvezetőgyártási technológiájával készítették el. Az elkészített 52 megabites lapkák mérete 109 négyzetmilliméter és összesen 330 millió tranzisztort tartalmaznak. Ez a valaha készített legnagyobb kapacitású SRAM chip.

A lapkákat az Intel 300 mm átmérőjű wafereket feldolgozó D1C üzemében, az oregoni Hillsboroban készítették fejlett 193 nanométeres és 248 nanométeres litográfiai berendezésekkel.