Tranzisztorsűrűségre fókuszál a TSMC 5 nanométere
Jelentősen csökkenhet a chipek területe a TSMC 5 nanométerének hála, az áramkörök fogyasztása és frekvenciája azonban csak kis mértékben javulhat.
Először beszélt 5 nanométeres gyártástechnológiájának főbb paramétereiről a TSMC. A tajvani bérgyártó fejlesztés alatt álló eljárása a tervek szerint jelentősen, 80 százalékkal növeli a tranzisztorsűrűséget a közelmúltban tömeggyártásba került 7 nanométerhez képest, ami ugyanazon tranzisztorszámmal kalkulálva 45 százalékkal kisebb területű chipeket jelentene. Fogyasztás, illetve a tranzisztorteljesítmény tekintetében már jóval kisebb előrelépést hozhat az eljárás, előbbinél 20, utóbbinál pedig 15 százalékos lehet a javulás - de nem egyszerre. A valós érték attól függ, hogy a tervezésnél melyik tulajdonságot részesítik előnyben a mérnökök. A TSMC szerint az 5 nanométer fejlesztése jól halad, ennek megfelelően pedig az eredeti terv szerint, valamikor 2020-ban indulhat be a tömegtermelés.
forrás: AnandTech
A nagy dobás tehát a tranzisztorsűrűség lesz, amit az EUV levilágítás bevezetésének köszönhetünk. Ahogy arról korábban már többször írtunk, az extrém ultraibolya fénnyel dolgozó technológia számos buktatót rejt, ezért a gyártók rendkívül óvatosan állnak hozzá, illetve vetik be tömegtermelésben. Ebből kifolyólag a bonyolult és költséges technikát az első nekifutást jelentő CLN7FF+ esetében csak a gyártási folyamat egy kis részénél, pontosabban a nem kritikus rétegeknél veti be a tajvani bérgyártó, ily módon ugyanis kordában tarthatóak a költségek, illetve csökkenthető a meglehetősen magas rizikó. Így az első "igazi", nagy sorozatú EUV-s eljárás a TSMC-nél az 5nm lesz.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
A CLN5 esetében a TSMC szélesebb körben veti be a továbbra is gyerekcipőben járó EUV-t, azonban azt egyelőre nem tudni, hogy pontosan mely rétegeket érinti majd a fejlesztés. A bérgyártó azt azonban elárulta, hogy a jelenleg használható EUV-s levilágítóberendezések teljesítménye mindössze 145 watt környékén mozog, amely nem elég a tömeggyártás szinten tartásához, ehhez ugyanis legalább 250 wattra lenne szükség. A TSMC reményei szerint ez a probléma 2020-ig megoldódik, amely optimizmus alapját részben az adja, hogy az utóbbi pár negyedévben a vállalat nagy előrelépést tapasztalt az EUV infrastruktúra területén.
Külön gyár
Ahogy a TSMC pár hete bejelentette, az 5 nanométeres chipek gyártásához egy külön gyárkomplexumot épít. A Fab 18-ra keresztelt üzem felállítása összesen nagyjából 17 milliárd dollárt emészt majd fel. Ebből többek között nagyjából 160 000 négyzetméternyi tisztaszobát húz fel a vállalat, a komplett gyárkomplexum pedig 950 000 négyzetméteren terül majd el. Előbbi közel 60, utóbbi pedig nagyjából 120 százalékkal haladja meg a hasonló kapacitásra képes Fab 15 paramétereit. A tetemes eltérés oka, hogy a modernebb gyártástechnológiához szükséges különféle eszközök (pl. EUV levilágító) a megszokottnál jellemzően sokkal nagyobb helyigénnyel rendelkeznek. A Fab 18 2020-ban nyithatja meg kapuit, tervezett maximális kapacitását pedig 2021 második felében érheti el az üzem, amit körülbelül évi 1 millió megmunkált 300 milliméteres waferben szabott meg a TSMC.