Küszöbön a Samsung 3D XPointra adott első válasza
NAND-dal próbál időt nyerni a Samsung, amely technológiából mindent ki kell préselnie a cégnek ahhoz, hogy a csúcskategóriás SSD-k piacában ne húzzon el túlságosan az Optane-nal az Intel.
Közölte Z-SSD-re keresztelt villámgyors NAND-alapú meghajtójának első mérési eredményeit a Samsung. A dél-koreai vállalat saját számai alapján az SSD versenyben lehet az Intel 3D XPoint technológiára alapozó Optane meghajtójával, annál bizonyos esetekben gyorsabb, másokban pedig lassabb lehet a Z-SSD. A NAND technológia csúcsát jelentő fejlesztéssel a Samsung időt nyerne, a cég ugyanis javában dolgozik saját 3D XPoint alternatíváin. Az éles bevetésig azonban még hónapok, sőt akár évek is eltelhetnek, így a vállalatnak jobb híján még egy darabig a NAND tökéletesítése jelenti az Optane SSD-kkel szembeni verseny lehetőségét.
Az első Z-NAND-ra épülő meghajtó az SZ985 típusszámot viseli, azzal pedig a vállalati tárolórendszereket célozza a gyártó. Az SSD a HHHL formátumú PCI Express kártyaként kerül piacra, a Samsung most ennek specifikációit hozta nyilvánosságra. Szekvenciális írásban és olvasásban egyaránt 3,2 GB/s-ra képes az SSD, amely nincs messze a PCIe busz nettó áteresztőképességétől. Ebben a tekintetben a Samsung üdvöskéje alaposan veri az Intel DC P4800X-et, amely olvasásnál 2,4, írásnál pedig kereken 2 GB/s-os tempóra képes. Ennél azonban fontosabb a véletlenszerű műveleteknél elérhető tempó, amely olvasáskor 750 000-ben, íráskor pedig 170 000 IOPS-ban tetőzhet a Samsung szerint. Ezzel szemben az Intel meghajtója olvasáskor 550 000, íráskor pedig 500 000 IOPS-ra képes, tehát előbbinél 27 százalékkal elmarad, utóbbinál viszont közel háromszor gyorsabb az Optane.
Érdemes kitérni a késleltetésekre is, ami a 3D XPoint egyik nagy erőssége. Az Intel és a Micron közös fejlesztése olvasás és írás esetében is 10 mikroszekundomos értéket nyújt. Ehhez képes egy jobb NAND-alapú SSD olvasáskor 90-120, írásnál pedig 20-30 mikroszekundumos késleltetést produkál, miközben a Samsung első Z-SSD-je olvasáskor 12-20, íráskor pedig 16 mikroszekundumot nyújt, amely bár elmarad az Optane-től, de a különbség már nem drámai.
A Samsung a valós felhasználás melletti tempóra is kitért, amihez a Facebook által használt MyRocks RocksDB adatbázistárolóját helyezte fel a Z-SSD-re. A gyártó mérése szerint itt az SZ985 kétszer több műveletet hajtott végre, mint a hagyományos NAND-ra építő PM1725a, az ugyanakkor már nem derült ki, hogy hasonló körülmények között mire képes az Optane DC P4800X, vélhetően nem véletlenül, az Intel terméke borítékolhatóan gyorsabb lenne a Samsung meghajtójánál - de nem annyival, amennyit a teljesen eltérő technológia alapján várnánk. Emellett egyelőre azt is homály fedi, hogy a Z-SSD mire képes olvasási és írási műveletek vegyes végrehajtása esetében, ahogy a tartós teljesítményről sem beszélt a cég.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
Kiderült még viszont a terhelhetőség, amit a Samsung az Optane-hez igazított, hisz a 800 gigabájtos meghajtót napi harmincszor lehet újraírni, amely pontosan megegyezik a DC P4800X értékével. A Samsung tervei szerint a meghajtó számottevően olcsóbb lesz az Optane-nél, amelynek kisebbik, 350 gigabájtos verziója nagyjából jelenleg 1700 dollárba kerül.
Mi lapul a Z-NAND-ban?
A Samsung továbbra is titkolózik a Z-NAND kapcsán, azonban vélhetően nem az eget rengető innováció miatt. A lapkák esetében ugyanis a cég ismét "feltalálta", pontosabban újra bevezette az SLC-t, azaz a cellánkénti egy bites tárolási formát, amellyel nagyjából egy évtizede piacra kerültek az első SSD-k. Emellett még vélhetően tartalmaz bizonyos, a művelet végrehajtás sebességére irányuló módosítást a lapka, ugyanakkor valószínűleg csak optimalizációkról van szó, amivel a Samsung igyekezett mindent kipréselni a ma elérhető NAND technológiából.