Már épül az Intel első 450 milliméteres chipgyára
Már "javában tart" az Intel első olyan félvezetőgyárának építése, ahol 450 milliméteres waferek feldolgozásával zajlik majd a termelés, erősítette meg a vállalat képviselője az EE Times-nak.
Az Intel még 2012 végén folyamodott építési engedélyhez a hillsborói (Oregon) hatóságokhoz, amit meg is kapott, így 2013 nyarán megvolt az alapkőletétel és elkezdődött a munka. Az új üzem neve D1X Module 2 lesz, ami azt jelenti, a hillsborói fejlesztőközpontban található D1X félvezetőgyár bővítéséről van szó. A D1X az Intel fejlesztésekre használt üzeme, a vállalat ezt használja a legújabb gyártástechnológiák kikísérletezésére.
Az építkezési munkálatok várhatóan 2 évig zajlanak és mintegy 2 milliárd dollárt emésztenek fel, ebben szigorúan véve csak az épület és az infrastruktúra költségei vannak benne, a félvezetőgyártó berendezések nincsenek. Az új üzem legkorábban 2015-ben állhat termelésbe, az Intel azonban egyelőre még hivatalosan nem közölte, milyen gyártástechnológiát alkalmaz a D1X Module 2-ben. A vállalat kétévente vált gyártástechnológiát, év végén dobja tömegtermelésbe a 14 nanométeres csíkszélességű eljárást. Elképzelhető, hogy a D1X Module 2 már ennél is fejlettebb technológiával állítja elő a lapkákat.
Ilyen lesz a D1X komplexum a bővítés után
Minél nagyobb, annál olcsóbb
A félvezetőiparban két fontos trend figyelhető meg a méretek terén, az egyik a csíkszélesség csökkentése, a másik pedig a felhasznált waferek, vagyis szilíciumszeletek méretének növelése. Míg a csíkszélesség csökkentése a költség mellett a teljesítményre is hatással van, addig a wafer méretének növelése tisztán gazdasági kényszerűség - minél nagyobb a wafer, annál alacsonyabb az egy chipre eső fajlagos költség.
Egy nagyobb méretű waferen több chip helyezhető el mint egy kisebben, így egységnyi idő alatt több lapka készülhet egy gyártósoron. Egy 450 milliméteres wafer felülete több mint kétszerese egy 300 milliméteresének, a rajta elhelyezhető chipek száma pedig ezzel arányosan nő, persze függ a magmérettől is. Egy 450 milliméteres wafereket megmunkáló gyár kapacitása így hozzávelőteg kétszer annyi lehet, mintha ugyanabban a gyárban 300 milliméteres szeletekből készülnének a chipek. Egy ilyen üzem tőkeköltsége viszont nagyjából negyedével kevesebb mint két 300 milliméteres gyáré, vagyis összességében megtakarítás érhető el az előállítási költségeken.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
A 300 milliméteres waferek 2001-ben jelentek meg a tömegtermelésben és fokozatosan kiszorították a 200 milliméteres szeleteket a gyártósorokról azokon a területeken, ahol a nagyobb méretű chipek miatt fontos a kihozatal és a költség. A 450 milliméteres szeleteket még nem használják sehol tömegtermelésben, az Intel üzeme mellett egyelőre a TSMC tervez ilyen gyárat építeni, a cég várhatóan 2014-ben kezd neki a munkálatoknak.
De annál drágább is
A 450 milliméteres waferek bevezetésének költsége ugyanakkor számottevően megnöveli egy modern chipgyár felépítéséhez szükséges beruházás méretét - az International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) szerint egy ilyen üzem teljes ára elérheti a 10 milliárd dollárt is - a TSMC a saját gyárára 8 milliárd dollárt készül költeni, az Intel csak az épületre 2 milliárd dollárt szán, ebben azonban nincsenek benne a félvezetőipari berendezések költségei. Ezért csak a legnagyobb gyártók engedhetik meg maguknak az átállást, és csak azokon a területeken, ahol kritikus fontosságú a nagy kapacitás .
Az International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) a múlt évtized közepén 2012-re várta a 450 milliméteres szilíciumszeletek megjelenését a tömegtermelésben, a legfrissebb előrejelzés szerint azonban ez az évtized második felére tolódik. A technológiának a költségek magas volta miatt lassú lesz a felfutása, egészen 2028-ig kell arra várni, hogy a 450 milliméteres kapacitás utolérje a 300 milliméterest, amelyre elsőként az Intel állt át 2000-ben, a Pentium 4-gyel.