Új 3D NAND chipeket hozott a 4 terás Samsung SSD
4 terabájtosra hízott a legnagyobb Samsung 850 EVO SSD. A termék alapját az új, 48 rétegű 3D NAND adta, mely már a Samsung harmadik generációs fejlesztése.
Új taggal bővült a Samsung 850 EVO SSD-sorozat, így már 4 terabájtos kapacitással is megvásárolható a 2014 végén bejelentett széria, potom 1500 dollárért cserébe. Ennél érdekesebb, hogy a dél-koreai vállalat mérnökei hogyan növelték a tárhelyet, ugyanis ez az SSD alkalmazza elsőként a Samsung 48 rétegű TLC 3D NAND fejlesztését, amely jelentősen emelte a lapkák memóriasűrűségét.
A tetemes kapacitást leszámítva a 850 EVO új tagja nem hozott számottevő változást a sorozat korábbi modelljeihez képest. A tárkapacitás mellett 4 gigabájtra nőtt a DRAM puffer mérete, bár a SATA csatoló limitációja miatt mindez nem befolyásolja az átviteli sebességet. Szekvenciális olvasásnál legfeljebb 540 MB/s, az írásnál pedig maximum 520 MB/s lehet a tempó, 4 kB-os blokkokon mért (QD32) véletlenszerű olvasásra 98 000, írásra pedig 90 000 IOPS-ot adott meg a Samsung.
Érdekes részlet, hogy a meghajtó fogyasztása a hivatalos adatok alapján csökkent. A sorozat kisebb tagjai olvasásnál 3,7 wattot, írásnál pedig 4,4-4,7 wattot fogyasztanak, miközben a legnagyobb, 4 terabájtos modell olvasásnál 3,1, írásnál pedig 3,6 wattot vesz fel. A széria többi darabjához hasonlóan a Samsung 5 év garanciát vállalat a meghajtóra, de ebbe hivatalosan csak 300 terabájtnyi írás fér bele, amivel 75-ször lehet újraírni az SSD teljes tárterületét.
Közeleg a chipenkénti 1 terabájt
A 4 terabájtos kapacitást 8 darab NAND chipből rakta össze a Samsung, ami chipenként 512 gigabájtot jelent. Ennek alapját a dél-koreai cég legújabb, 48 rétegű 3D NAND fejlesztése adja, mely a vállalat harmadik generációs 3D NAND-ja. A cég nagyjából 3 éve mutatta be első generációs, 24 rétegű fejlesztését, amit bő egy évvel később követett a második generációs, 32 rétegű megoldás.
A harmadik generációs, 48 rétegű fejlesztésre viszonylag sokat kellett várni, de Samsungot nem igazán sürgette senki, a konkurencia (Intel-Micron) csak néhány hónapja állt elő első 3D NAND-jával. A 48 rétegű megoldás több változást hozott, melyek közül az első és legfontosabb a memóriasűrűség, amelyet 38 százalékkal, 1.86 Gb/mm2-ről 2.57 Gb/mm2-re növeltek, miközben egyetlen lapka területe nagyjából 40 százalékkal, 48,9 mm2-ről 68,7 mm2-re hízott. A Samsung ezek együttesével 128-ról 256 Gb-re növelte a lapka kapacitását.
Nyerd meg az 5 darab, 1000 eurós Craft konferenciajegy egyikét! A kétnapos, nemzetközi fejlesztői konferencia apropójából a HWSW kraftie nyereményjátékot indít.
Ugyancsak fontos részlet, hogy a lapka vastagsága is jelentősen csökkent, 132 μm-ről 36 μm-re. Ennek köszönhetően a mérnökök könnyebben tokozhatták egybe a lapkákat, első körben összesen 16 darabot, amivel egyetlen NAND chip kapacitása elérte az 512 gigabájtot. Később várhatóan tovább növelik a lapkák számát, ezzel párhuzamosan pedig a chipenkénti kapacitást.
A chipek egy új fejlesztést is bemutattak, az F-Chip elnevezésű kiegészítő a NAND-ok és a vezérlő közötti kommunikáció leegyszerűsítéséért felel. A működési elv hasonlít az FB-DIMM moduloknál már látott pufferéhez, az F-Chip pont-pont kapcsolatot hoz létre két egymástól elválasztott buszon, amivel könnyebb fenntartani a jelintegritást, miközben tovább növelhető a lapkák száma és/vagy az átviteli sebesség, az áramkör komplexitásának növelése nélkül. Az F-Chip további előnye, hogy az az architektúra szempontjából transzparens, nem igényel módosítást a vezérlő oldaláról.