Mellékleteink: HUP | Gamekapocs
Keres

Hova tűnt a Samsung új SSD-jéből a 3D-NAND?

Asztalos Olivér, 2016. február 18. 10:30

A Samsung legújabb belépőszintű SSD-jéből eltűnt a V-NAND, helyére pedig egyrétegű lapkák kerültek. A döntés hátterében több ok is húzódhat.

Újabb, olcsó SSD-vel rukkolt elő a Samsung, melynek érdekessége, hogy visszatér a korábban használt egyrétegű NAND chipekhez. A 750 EVO elnevezésű termékben TLC típusú, azaz cellánként három bitet tároló lapkák kaptak helyet. A cég azonban nem a régi gyártástechnológiát húzta megint elő, ezek a lapkák már 16 nanométeren készülnek. Ez megfelel a konkurens Toshiba és Micron legfejlettebb technológiáinak, a két vállalat jó ideje kínál 15 és 16 nanométeres planáris NAND lapkákat - jobbára kényszerűségből, mivel egyelőre a V-NAND-hoz hasonló rétegzett memóriával még nem állnak készen. Mi vezethette azonban a Samsungot, amely rendelkezik ezzel a technológiával, hogy újra egyrétegű NAND-dal szerelt SSD-t dobjon piacra?

Már a chipekre épülő SSD elnevezése beszédes, ez alapján a 750 EVO egyértelműen a korábbi, TLC V-NAND-ot alkalmazó 850 EVO alá sorakozik be. A legfőbb különbséget a már említett NAND jelenti, ami a korábban használt V-NAND-nál bizonyosan jóval kevesebb írási ciklust képes elviselni, tehát az SSD terhelhetősége kisebb. A nagyon alacsony (1x nanométeres) csíkszélesség hárombites (TLC) cellákkal kombinálva programozási ciklusok tekintetében a legkedvezőtlenebb megoldás, ugyanakkor ezt különféle okos vezérlési megoldásokkal (pl. DSP) bizonyos szintig kompenzálni lehet. Vagyis konzumer termékekbe, amúgy kevés írási ciklust igénylő helyekre (például notebookokba) elegendő ez a megoldás, komoly terhelést (tárolókban, szerverekben) azonban nem viselne el valószínűleg.

Erre utal, hogy a Samsung hivatalos specifikációi szerint a 120 gigabájtos modell már csak a korábbi 850 EVO terhelhetőségének felét, 35 terabájtnyi írást biztosít a garancián belül, míg a 250 gigabájtos verzió esetében az érték csak minimálisan változott, 75-ről 70 terabájtra csökkent. Ezzel párhuzamosan a garanciaidő is kevesebb lett, 5 év helyett már csak 3 év jótállást vállal a Samsung. A DRAM puffer méretét is megvágták, az utóbb említett 250 gigabájtos modellnél ez a felére, azaz 256 megabájtra csökkent. Mindezen változtatásokért cserébe 10 dollárt engedett a Samsung, amivel a 250 gigabájtos 850 EVO ára 75 dollár körül alakul, ez idehaza 23-24 000 forintot jelenthet majd.

Érdekes kérdés, hogy a 3D-NAND fejlesztésekben jelenleg utcahosszal vezető Samsung miért hozta vissza az egyrétegű flash chipeket, miközben azok gyártása (elvileg) költségesebb. A planáris NAND-ok előállítása lényegesen egyszerűbb, a kihozatal jobb, ami bizonyos esetekben az alapvetően lényegesen kedvezőtlenebb cellasűrűség ellenére is a már jól bejáratott planáris modellek oldalára billentheti a gyártási költségeket vizsgáló mérleget.

forrás: AnandTech

Ennél nyomósabb érv, hogy a Samsung harmadik generációs, már 48 rétegű 3D-NAND lapkája egyszerűen túl nagy kapacitású ahhoz, hogy azzal megfelelő tempót lehessen elérni egy mindössze 120 gigabájtos kapacitású SSD-nél. A dél-koreai cég szóban forgó rétegzett lapkája chipenként 32 gigabájtos, ezzel pedig a vezérlő nyolc csatornájából csak négyet lehetne feltölteni, amivel jelentősen, nagyjából a felére csökkenne a szekvenciális műveletek tempója. A kisebb kapacitású planáris lapkákkal ez a probléma nem áll fent, így az átviteli sebesség szinten tartható.

A tendenciát tekintve a gyártók egy darabig még kénytelenek meghagyni a planáris megoldásokat, hisz a kisebb, 120 gigabájtos SSD-kre továbbra is nagy a kereslet, ezt az igényt pedig nem hagyhatják figyelmen kívül. Ettől függetlenül csupán idő kérdése, és a 120 gigabájtos modellek eltűnnek, helyüket pedig átveszik a 240 gigabájtos megoldások, várhatóan a jelenleginél jóval olcsóbban.

Mit gondolsz? Mondd el!

Adatvédelmi okokból az adott hír megosztása előtt mindig aktiválnod kell a gombot! Ezzel a megoldással harmadik fél nem tudja nyomon követni a tevékenységedet a HWSW-n, ez pedig közös érdekünk.